英特爾（納斯達克代碼：INTC）宣布與軟銀集團（東京證交所代碼：9984）旗下子公司 SAIMEMORY 簽署合作協議，共同開發名為 Z-Angle Memory 的新型記憶體技術（簡稱 ZAM 計畫），推動新一代記憶體技術，滿足 AI 與高效能運算（HPC）日益增長的需求。
軟銀旗下子公司 SAIMEMORY 總部位於日本東京，正開發堆疊式 DRAM 架構，其性能超越現有的高頻寬記憶體標準，大幅提升記憶體容量、顯著降低功耗，並改進封裝能力，解決 AI 系統擴展過程中的瓶頸。
英特爾於此次合作中擔任技術、創新及標準化的合作夥伴，SAIMEMORY 則提供技術創新並主導 ZAM 商用化進程。雙方預計於 2026 年第一季啟動營運、2027 年推出原型產品，並於 2030 年實現商用化。
SAIMEMORY 的技術架構奠基於「先進記憶體技術（the Advanced Memory Technology, AMT）」研發計畫，該計畫由美國能源部（DOE）及國家核安全管理局（NNSA）發起，並由桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratory）、勞倫斯利佛摩國家實驗室（Lawrence Livermore National Laboratory）與洛斯阿拉莫斯國家實驗室（Los Alamos National Laboratory）共同推動。英特爾早期在先進記憶體技術研發計畫的資助下進行研發，為堆疊式 DRAM 概念提供關鍵的效能實證。英特爾也推動了下一代 DRAM 鍵合（Next Generation DRAM Bonding, NGDB）計畫，在延遲和能耗更低的情況下，實現更高 DRAM 密度與頻寬的可能性。
英特爾院士暨英特爾政府技術部技術長 Joshua Fryman 表示：「英特爾的下一代 DRAM 鍵合計畫展示了創新的記憶體架構與革命性的組裝方式，顯著提升 DRAM 性能、降低功耗，並優化記憶體成本。標準記憶體架構已無法滿足 AI 的需求，因此下一代 DRAM 鍵合計畫定義了一套全新的方法，讓這項技術有望在未來十年獲得更廣泛的應用。」
英特爾將利用過去參與美國能源部先進記憶體技術計畫的技術積累，支持與 SAIMEMORY 的 ZAM 計畫。從先進記憶體技術研發計畫轉型至 ZAM 計畫，不僅強化美日技術合作的信任基礎，也加速了從國家實驗室研究邁向全球市場布署的進程。
