三星再度發下豪語，針對未來市場上對於 HBM 記憶體在 AI 方面的高需求性，堆疊更多層數的 NAND 當然也是首要目標，預計將在 2026 年推出達到 400 層垂直堆疊的 NAND 快閃記憶體，甚至在 2030 年可以超過 1000 層堆疊，以求在市場中佔據領先地位。
根據韓國經濟日報報導，目前全球市場上的主要廠商包括三星在內，還有 Kioxia 鎧俠、Micron、Western Digital、SK Hynix…等，其中 SK Hynix 也已經在開發 400 層堆疊的 NAND，預計將於 2025 年底開始大量生產，Samsung 預計 2026 年推出也算是追得很緊了！
除了透過更新的 10 代 V-NAND (V10) 技術、提高 1.6 倍單位面積密度來達到更高堆疊的 NAND 之外 (突破300層限制、解決儲存容量提升與散熱效率等問題)，2027 年也計畫推進至 V11 NAND (sub-10 nm DRAM)，此時的資料傳輸速度將提高 50%，效能與穩定性都將提升至更高。
而現階段 Samsung 雖已量產 286 層 V9 NAND，距離預計的 400 層還有一點距離與一些時間，就看更先進的 10 代 V-NAND 技術 (BV BAND) 能否快速實現 400 層的夢想，甚至能提早推出就更好了，但 2030 年的 1000 層…，就看到時候的發展如何才能下定論了，目前都只是廠商端的計畫而已。
