SK海力士公司（www.skhynix.com ）今天宣布，其已完成下一代超高性能AI存儲器產品 HBM4 1的開發並準備就緒，並在全球首次實現量產。
SK海力士表示，該公司已成功完成開發，並基於此技術成果做好了 HBM4 量產的準備，以引領 AI 時代。藉此契機，SK海力士再次證明了其在全球 AI 記憶體市場的領先地位。
領導 HBM4 開發的 SK海力士 HBM 開發負責人趙週萬表示：“HBM4 的開發完成將成為行業新的里程碑。通過及時提供滿足客戶性能、能效和可靠性需求的產品，公司將能夠按時上市並保持競爭優勢。”
隨著近年來人工智慧需求和資料處理的急劇增長，對高頻寬2記憶體的需求也隨之激增，以實現更快的系統速度。此外，隨著資料中心運作功耗的增加，確保記憶體的功率效率已成為客戶的關鍵要求。SK海力士預計，頻寬和功率效率更高的 HBM4 將成為滿足客戶需求的最佳解決方案。
HBM4 已實現量產，擁有業界最佳的資料處理速度和能效，透過採用 2,048 個 I/O 端口，頻寬較上一代翻倍，能源效率提升 40% 以上。預計該產品應用後，AI 服務效能將提升高達 69%，從而解決資料瓶頸問題，並大幅降低資料中心的電力成本。
該公司在 HBM4 中實現了超過 10Gbps（千兆位元每秒）的運行速度，遠遠超過了 JEDEC3 標準運行速度（8Gbps）。
此外，該公司在 HBM4 上採用了已被市場驗證可靠的 Advanced MR-MUF4 工藝，以及 1bnm 工藝，即 10 奈米技術的第五代，以最大程度地降低量產風險。
SK海力士總裁兼 AI 基礎設施負責人 Justin Kim 表示：「我們即將建立全球首個 HBM4 量產系統。HBM4 是突破 AI 基礎設施局限的標誌性轉折點，將成為攻克技術難題的核心產品。我們將及時提供 AI 時代所需的最佳品質和多樣化性能的內存產品，成長為一家全棧式 AI 內存供應商。」
1. HBM（高頻寬記憶體）： 這種高價值、高效能記憶體垂直互連多個 DRAM 晶片，與傳統 DRAM 產品相比，資料處理速度顯著提升。 HBM 共分為六代，從最初的 HBM 開始，依序為 HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E 和 HBM4。
2. 頻寬： 在HBM產品中，頻寬是指一個 HBM 包每秒可以處理的總資料容量。
3. JEDEC（聯合電子設備工程委員會）： 一個標準化機構，是製定微電子產業開放標準和出版物的全球領導者。
4. MR-MUF（大規模回流成型底部填充）：堆疊半導體晶片，在晶片之間注入液態保護材料以保護晶片間電路，並使其硬化的製程。與為每個晶片堆疊鋪設薄膜材料的方法相比，此製程已被證明具有更高效的散熱效果。 SK海力士先進的 MR-MUF 技術對於確保穩定的 HBM 量產至關重要，因為它能夠有效控制翹曲並減輕堆疊晶片的壓力。
