世界知名超頻記憶體及高端電競設備領導品牌，芝奇國際正式推出專為最新 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 工作站處理器打造的 T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) RDIMM 超頻記憶體，並導入 AMD EXPO 超頻技術。全新一代模組採用芝奇最新 16 層 DDR5 R-DIMM PCB，並搭載瞬態電壓抑制 (TVS) 二極體及保險絲設計，提供卓越的訊號完整性與電壓保護機制。
無論是建構企業級或個人使用的資料運算中心、人工智慧、與機器學習平台，或各類高效能科學運算環境，芝奇 T5 Neo 高速 DDR5 R-DIMM 超頻記憶體皆能帶來極致的資料傳輸效能、優異的系統穩定性、以及完善的內建安全保護機制，打造頂尖豪華的工作站解決方案。
超大容量 & 低延遲 – DDR5-6400 CL38-48-48-102 512GB (64GBx8)
芝奇專注於打造卓越效能記憶體，以滿足高端工作站用戶的極致需求，本次成功推出 T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 超高規格套裝，結合 512GB 大容量及 CL38 低延遲的夢幻組合，重新定義 DDR5 R-DIMM超頻記憶體的性能極限，為全球工作站用戶帶來嶄新的流暢體驗。
此套裝專為 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 工作站打造，並導入 AMD EXPO 超頻技術，並已搭配最新 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 9945WX 處理器及 ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE 主機板通過燒機測試，以下為測試截圖：
全新16層板PCB打造極速效能
全新 T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8) 高效能 RDIMM 超頻記憶體採用 16 層板 PCB，相較於傳統的 8 層或 10 層板設計，實現顯著的升級。這種高密度多層結構可有效提升記憶體速度、強化訊號完整性、並降低訊號干擾，即使在高工作負載下也能確保穩定且高效的資料傳輸表現。
透過更緊密的 PCB 佈局設計，該模組在訊號與電力效率方面擁有更卓越的表現，並能支援大規模運算而不產生過載，完美滿足高階工作站、高效能運算 (High Performance Computing) 或高速資料運算中心等對於極致效能的嚴苛要求。
TVS保護機制提升安全性
專為企業與專業應用打造的芝奇 T5 Neo 系列 DDR5 R-DIMM 超頻記憶體，採用堅固的 16 層 PCB 結構，確保卓越的訊號完整性與電力效率。由於模組需直接從主機板獲取 12V 電壓輸入，因此設計上導入先進的保護機制。
為防止瞬態電壓突波與靜電放電 (ESD)，每個模組均配備高品質瞬態電壓抑制 (TVS) 二極體與表面黏著技術 (SMT) 保險絲，形成穩固的雙重防護設計，此安全機制不僅提升模組的耐用性，更確保長時間高負載運行下的穩定效能，使芝奇 T5 Neo 系列 DDR5 R-DIMM 超頻記憶體成為次世代高效能工作站內存的終極解決方案。
上市資訊
全新 T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM 超頻記憶體套裝將於 2025 八月於全球各地陸續販售，消費者可洽詢芝奇各地的合作經銷商及通路夥伴。
