SK 海力士近年積極搶攻伺服器領域的記憶體市場，在 2021 年成為第一間開發出 HBM3 記憶體的廠商之後，在今年即將結束的尾聲時刻，也針對 DDR5 世代產品打造了 MCR 組合式伺服器的記憶體模組，號稱能夠比一般 DDR5 記憶體高出 80% 的傳輸效能，一舉成為現今世上最快的 DDR5 記憶體。
MCR (Multiplexer Combined Ranks) 記憶體在設計上的原理的概念不難理解，就是在整個模組中再放入一顆專門的緩衝記憶體，讓從個別顆粒調度而來的資料可以先集中到緩衝區之中，接著再一次性地進行傳送。
根據 SK 海力士官方的介紹，MCR 記憶體是 SK 海力士與 Intel 和 Renesas 瑞薩電子一同合作下的成果，相比一般記憶體單次只能夠發送的指令大小為 64 bytes，透過 MCR 技術加入額外緩衝空間後，記憶體模組的正面與反面將可以個別分送 64 bytes 的資料到緩衝區，等於整組記憶體在同一時間能夠發送的資料數量將直接翻倍來到 128 bytes。
由於每一次發送的指令是原本的雙倍，這使得記憶體在傳輸速度從原本的 4.8Gbps 暴增到 8 Gbps，足足提升了 80% 之多！至於提升幅度不是 100% 的原因在於畢竟資料調度多了一個轉存步驟，所以會額外產生一定的延遲，不過因為單次的傳輸量大增，可以節省處理器反覆調度資料的麻煩，因此實際應用面上未必會拖慢整體系統。
SK 海力士目前正在計畫對 MCR 記憶體進行量產，預期能夠為伺服器、資料中心等有大量資料吞吐需求的設備創造更高的資料處理效能。
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