- Snapdragon Sound Elite Gen 2 是我們首個專為結合優質音訊和語音技術以及代理驅動體驗所需的裝置端智慧與連線性而打造的平台。
- 它催生了新一代智慧多模態音訊可穿戴設備,包括配備攝影機的設備。
- 全新的人工智慧增強音訊和語音技術旨在不斷適應聽眾,提供更具沉浸感、個人化和反應迅速的體驗。
Qualcomm 高通科技公司今日發布了第二代驍龍® Snapdragon Sound Elite 平台,進一步拓展了音訊穿戴裝置的應用範圍。該平台融合了驍龍高端音訊技術、設備端人工智慧、安全可靠的雲端連接智慧以及整合式超低功耗 Wi-Fi 6E。最終呈現的是一種更直覺、個人化的體驗,能夠預測使用者需求並無縫回應,同時延續驍龍音訊一貫的卓越音質。
高通科技公司高級副總裁兼 XR、穿戴式裝置和個人人工智慧總經理 Ziad Asghar 表示: 「我們的研究1 表明,高達 70% 的用戶希望他們的穿戴式裝置具備先進的人工智慧功能。隨著人工智慧成為核心功能,用戶將越來越期望以更自然的方式與之互動。這些動態並非總是透過自然對話,而是透過自然對話,用戶只需即時幫助人工智慧。2晶片的推出,標誌著智慧音訊穿戴裝置的時代來臨,它能夠實現即時翻譯、情境輔助、個人化聆聽以及融合音訊、視覺和人工智慧的多模態互動等體驗。
雙倍智能,卓越音質
驍龍 Sound Elite Gen 2 代表了音訊穿戴式裝置端 AI 的重大飛躍,其 AI 性能比上一代產品提升高達 2 倍,並支援多種智慧體驗同時運行。此外,該平台功耗降低高達 40% 3,體積縮小高達 30% 4,使 OEM 廠商能夠提供更快、更持久的個人 AI 體驗,包括配備攝像頭的設備形態,這些設備能夠幫助用戶收集環境信息,而不是僅僅拍攝照片。
此外,透過微功耗 Wi-Fi 6E 實現的直接雲端連接,驍龍音訊應用和代理將音訊穿戴式裝置的功能擴展到硬體之外,提供對人工智慧助理、服務、內容和體驗的訪問,這些功能可以隨著時間的推移而不斷發展。
能夠理解並適應的聲音
Snapdragon Sound Elite Gen 2 將高端 Snapdragon Sound 技術與 AI 驅動的功能相結合,旨在不斷適應聽眾、他們的裝置和他們的環境。
- Qualcomm® aptXTM Lossless 旨在提供豐富、沉浸式的音訊質量,帶來優質的聆聽體驗。
- Qualcomm® XPAN 將連接範圍擴展到傳統藍牙範圍之外,從而實現更流暢、更不間斷的跨裝置音訊體驗。
- AI 增強音訊技術,包括新的第五代高通® ANC、高通® cVcTM 技術以及對先進多麥克風架構的支持,旨在改善降噪、語音捕捉和語音清晰度,從而在各種環境下實現更清晰的對話和與 AI 助理更可靠的交互。
- 驍龍®音訊感知解決方案引入了具有智慧音訊演算法的創新麥克風,幫助設備更清晰地聽到聲音和周圍環境,從而實現更豐富的語音捕捉、更清晰的通訊和更靈敏的 AI 體驗。
助力下一代智慧音訊穿戴裝置的發展
驍龍 Sound Elite Gen 2 支援多種外形尺寸,包括耳塞、頭戴式耳機、開放式和混合式音訊設計、帶攝影機的耳塞、音訊眼鏡以及未來的多模態穿戴式裝置。為了進一步加速創新,驍龍 Sound Elite Gen 2 參考設計將幫助 OEM 廠商快速建造原型、驗證並實現下一代個人 AI 設備的商業化。
在 2026 年驍龍峰會上,Cleer 公司率先展示了基於驍龍音訊平台的全新智慧音訊穿戴設備,該設備融合了音訊、視覺和人工智慧技術。這個概念展示了驍龍音訊平台如何超越傳統音訊穿戴設備,延伸至使用者周圍的世界,開啟新一代智慧體驗的大門。
欲了解更多信息,請訪問驍龍 Sound Elite Gen 2 網頁和產品簡介。更多資訊、直播回放和活動內容也可在驍龍峰會活動中心取得。
1 要存取高通公司的完整個人人工智慧報告,請造訪網頁。
2 基於高通技術國際有限公司於 2026 年 7 月對驍龍 Sound Elite Gen 2 和驍龍 S7 Gen 1 音響平台進行的比較測試。所謂 AI 效能提升高達 2 倍的說法,是基於驍龍 Sound Elite Gen 2 的峰值 AI 運算能力為 128 GOPS 和每個週期 256 個 MAC,而驍龍 S7 Gen 1 音訊平台的峰值 AI 運算能力為 64 GOPS 和每個週期 128 個 MAC,兩者皆在 250 下頻率。此處所指的「高達」是指在公開的測試條件下所達到的最大值,可能並非適用於所有產品實作或使用情境。實際結果可能有所不同。
3 與驍龍® S7 Gen 1 平台比較。基於高通技術國際有限公司於 2026 年 8 月對驍龍 Sound Elite Gen 2 和驍龍 S7 Gen 1 音響平台進行的比較測試。功耗降低高達 40% 的說法基於 Wi-Fi 連接的空閒使用場景,對比了驍龍 Sound Elite Gen 2 模擬的 0.6 mA 功耗目標值和參考的 1.0 mA 驍龍 Sound Elite Gen 2 對比目標值。驍龍 Sound Elite Gen 2 的結果基於設計模擬,最終結果以晶片功耗測量為準。所述「高達」數值代表在公開的測試條件下達到的最大值,可能並非適用於所有產品實現或使用情境。實際結果可能有所不同。
4 與驍龍® S7 Gen 1 平台比較。此數據基於高通技術國際有限公司於 2026 年 8 月對驍龍 Sound Elite Gen 2 和驍龍 S7 Gen 1 音響平台進行的比較測試。驍龍 Sound Elite Gen 2 的晶片面積為 31.185 mm²,而驍龍 S7 Gen 1 的晶片面積為 44.2225 mm²,因此其尺寸最多可縮小 30%。此處所指的「最多」是指在公開的測試條件下所達到的最大值,並非適用於所有產品實作或使用情境。實際結果可能有所不同。
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