▪ 投資超 40 億美元，2029 年下半年在美國量產首款“美國製造”HBM 產品
▪ 與 100 餘家合作夥伴構建生態系統，將在當地創造 7000 個直接及間接就業工作機會
▪ 與普渡大學簽署研發 MOU，合作開發下一代先進封裝技術
▪ CEO 郭魯正：將匯聚最信賴客戶的開發
SK hynix（https://www.skhynix.com）宣布，於當地時間 27 日在美國印第安納州 West Lafayette 的普渡大學 Holloway Gymnasium 體育館舉行了面向服務的網站新基礎新單元。
*先進封裝（Advanced Packaging）：為克服縮小晶片尺寸的微細製程極限，將多個晶片捆綁或垂直堆疊以提升性能的尖端半導體後端製程技術。
當天的奠基儀式，印第安納州州長 Mike Braun、美國參議員 Todd Young，以及普渡大學校長 Mitch Daniels 都出席。 SK 集團方面，美洲主管副會長俞柾準、副會長李亨熙、SK hynix CEO 郭魯正等高階主管也一同參加。
美國首個HBM生產基地，投資超40億美元
總投資金額將超過 40 億美元的印第安納晶圓廠，預計於 2028 年 10 月完成無塵室 (Cleanroom) 建設，並於 2029 年下半年啟動新一代 HBM 量產。未來隨著生產全面步入正軌，該基地有望發展成為擁有 1000 餘名員工的美國核心 HBM 生產基地。
特別是印第安納晶圓廠作為 SK hynix 在美國設立的首個 HBM 生產據點，其特點在於基於韓國與美國生產體系的緊密連接進行運作。在韓國生產的先進晶圓將運送至印第安納，經過先進封裝和測試後，「美國製造」HBM 產品將直接供應給美國客戶。
此外，公司還將與生產線同步建造“先進封裝研發測試床 (Testbed)”，以便與客戶、大學及商業合作夥伴共同開發下一代封裝技術，並能夠快速推進原型試製與性能驗證。
攜手當地合作夥伴，強化生態系合作
目前，超過 100 家涵蓋材料、零件及設備等領域的合作夥伴正就進駐 West Lafayette 事宜進行洽談，此舉不僅將為印第安納晶圓廠的穩定運營提供有力支撐，預計還將進一步夯實當地 AI 生態系統。 SK hynix 計畫透過晶圓廠的建設與運營，與美國本土企業共同創造約 7,000 個直接及間接就業機會。
與普渡大學簽署研發合作MOU（諒解備忘錄）
SK hynix 在奠基儀式上與普渡大學簽署了先進封裝領域研發合作的諒解備忘錄。
雙方將基於 MOU 加強研發合作，共同研究包括 HBM 在內的下一代系統整合及先進封裝技術。此外，SK hynix 計劃擴大與美國中西部地區主要大學及研究機構的合作，致力於培養和引進全球頂尖人才。
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