SK hynix（https://www.skhynix.com）4 日宣布，公司聯手 Sandisk 共同發布下一代存儲技術高頻寬閃存（HBF，High Bandwidth Flash）的首個標準規範。
此次發布正值當地時間 8 月 4 日至 6 日在美國加州聖克拉拉會展中心舉辦的「快閃高峰會 (Flash Memory Summit) 2026」（以下簡稱「FMS 2026」）開幕。該公司計劃在峰會期間發表主題演講並參與圓桌論壇，介紹 HBF 作為破解 AI 時代內存瓶頸的關鍵技術。
HBF 是介於 HBM 和固態硬碟之間的新型儲存層級，不僅具備與 HBM 類似的高速資料傳輸能力，還可基於 NAND 快閃記憶體大幅提升容量。在 AI 推理普及、資料處理需求激增的背景下，其高頻寬與可擴展容量特性優勢備受矚目。
此次發布的標準規範，是繼 SK hynix 去年 8 月與 Sandisk 啟動 HBF 標準化合作，並於今年 2 月成立聯盟後，歷時約 6 個月推出的首個成果。此規範定義了兩種容量配置，分別採用 8 層和 16 層 NAND 晶片堆疊，最高支援 512GB 容量；並以三個等級（Grade 1~3）設定頻寬標準，資料傳輸能力覆蓋約 0.4TB/s 至 3.0TB/s。
值得關注的是，HBF 與處理器之間採用業界標準 UCIe* 互聯，為 HBF 與 GPU、CPU 等不同類型的處理器彈性連接奠定了基礎。
* UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）：一種用於不同半導體芯粒之間高速互聯的開放式標準介面規範
此外，此規範涵蓋連網介面與電氣特性、HBF Die 堆疊製程的可靠性與封裝指南，以及資料讀寫軟體使用指南等內容。該規範由全球最大的開放式資料中心技術合作組織 OCP（Open Compute Project）正式發布，成為業界通用開放標準，而非企業私有標準。
以此為契機，公司計畫加速 HBF 在 AI 儲存市場的規模化落地，並加速建構生態體系。目前，HBF 聯盟已匯聚谷歌與 Tenstorrent。未來，公司將持續依托開放合作，不斷擴大生態體系，同時提昇技術成熟度與市場接受度。
FMS 2026 開幕首日（當地時間 8 月 4 日），SK hynix 解決方案開發擔當副社長金千成與下一代產品規劃擔當副社長姜鬱成聯合發表演講，主題為「代理式人工智慧時代下，基於階級型記憶體的高效 AI 基礎設施建構（Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Infrastructure 新道式的高效 AI 基礎設施）。
隨著代理式AI*快速商業化，待處理資料規模激增，對處理速度和效率的要求也不斷提高。在此背景下，單一記憶體產品已難以滿足需求，因此需要採用「分層記憶體（Tiered Memory）」架構，整合特性互補的多種記憶體並協同最佳化。兩位演講者將重點闡述基於分層記憶體的下一代架構的必要性及發展方向。
當地時間 8 月 6 日，SK hynix Solution AT 擔當副社長林義哲、谷歌 DeepMind 研究員 Xiaoyu Ma、Sandisk 副社長 Rajeev Nagabhirava 將展開圓桌討論。這場匯聚全球記憶體、儲存與 AI 領域三大企業代表的論壇，主題為「借助 HBF 突破記憶體牆（Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash）」。三位嘉賓將聚焦 AI 基礎設施中記憶體結構的變革，並聚焦於 HBF 的角色與未來潛力。
同時，SK hynix 將在 FMS 2026 設立展位，展示策略合作專區、下一代儲存技術及 Tech Session 等內容。
尤其值得注意的是，本次展會公司將首次公開目前開發進展順利的第十代（V10）375 層 4D NAND 快閃晶圓和產品。較上一代，其效能功耗比提升 2.5 倍，特別適用於效能與能源效率要求極高的 AI 基礎設施環境，例如資料中心。公司計劃於明年初啟動基於此 NAND 快閃記憶體的高效能、大容量企業級固態硬碟（eSSD）量產，進一步鞏固其在 AI 時代 NAND 快閃記憶體市場的領先地位。
此外，該公司還將展示面向行動終端、PC、汽車和機器人等多個領域的系列產品，全面呈現 SK hynix 引領 AI 時代的記憶體技術優勢以及客戶合作成果。
金千成副社長表示：“AI 應用的快速普及，正推動整個數據處理架構迎來重構的關鍵期。通過 HBF，公司將突破內存與存儲的邊界，助力構建提升系統整體效率的新架構。”
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