SK hynix (https://www.skhynix.com) 在 7 日宣布，公司將在韓國龍仁和清州新建晶圓廠（Fab），以應對 AI 時代持續增長的記憶體需求。
當天，公司董事會決議通過，在龍仁「Y2」和清州「M17」晶圓廠建設項目中分別投資 35.2 兆韓元和 19.1 兆韓元，合計投資約 54 兆韓元。
此舉是落實公司今年 6 月公佈的中長期投資策略的另一個關鍵進展。先前，SK hynix 宣布計劃向龍仁半導體集群投資 600 兆韓元、向清州生產基地擴建投資 100 兆韓元。目前，龍仁首座晶圓廠（Y1）建設正有序推進，此次投資決定標誌著龍仁和清州兩地後續晶圓廠建設都啟動。
根據市場調查機構 Omdia 預測，從去年至 2030 年，DRAM 和 NAND 快閃記憶體市場需求年平均成長率將達 19%。 SK hynix 表示，這並非一時的產業景氣，而是源自於記憶體已從普通的零件升級為決定 AI 性能的核心基礎設施，進入結構性成長階段。
SK hynix 表示：“在 AI 時代，僅憑技術競爭力已不足以保持優勢；能否在客戶所需時間點交付足量產品，才是真正的競爭力。此次投資決定是基於對市場需求進行充分評估後作出的。”
龍仁 Y2 是公司在龍仁半導體集群內依序建造的四座晶圓廠中的第二座，總建築面積約 34.1 萬坪（約 113 萬平方公尺），將作為 DRAM 生產基地投入營運。工程計劃明年 7 月開工，2029 年 6 月啟用首間無塵室，主要生產 HBM 等新一代 DRAM 產品。目前，Y1 晶圓廠建設進展順利，預計明年 2 月啟用首間無塵室。
此前，SK hynix 已將龍仁半導體集群的整體竣工時間由原定的 2045 年大幅提前至 2033 年，完成四座晶圓廠的全部建設。此次 Y2 建設即為支撐此目標的第二階段關鍵舉措，投資將分階段實施至 2031 年 10 月。
本投資金額還包括為 Y2 員工配套的辦公及福利設施“支援大樓”、集開發產品實驗、測試與分析一體的“研發綜合中心”，以及相關配套設施*等建設費用。
龍仁半導體集群位於韓國京畿道龍仁市處仁區遠三面一帶，佔地約 126 萬坪（約 416 萬平方公尺）。目前，支撐 Y2 投產的第一期電力、供水基礎建設已完成 99%，進入收尾階段。公司目標，晶圓廠與基礎建設同步進行，Y2 將按原定計劃穩步推進，確保工期不受影響。
隨著 AI 服務加速普及，NAND 快閃需求正以企業級固態硬碟（eSSD）為核心快速成長。同時，AI 推理過程中的 KV 快取*需求進一步增加，疊加代理式（Agentic）與物理（Physical）AI 應用逐步落地，NAND 快閃記憶體的應用場景可望進一步拓展。
SK hynix 之所以選擇在清州建造新的 NAND 快閃生產基地，是因為能夠加速新晶圓廠的建設。清州園區已建成 M11、M12、M15 NAND 快閃記憶體生產設施，新建晶圓廠可與現有產線協同增效；同時廠址、電力及用水等基礎設施也已基本就緒。清州 M17 晶圓廠總建築面積約 20.6 萬坪（約 68 萬平方公尺），計畫明年 2 月動工，2028 年 12 月啟用首座無塵室。投資期間將持續至 2031 年 4 月，並將依業務進度分階段實施。
SK hynix 表示，公司將基於與客戶的中長期需求溝通，前瞻性佈局生產基礎設施，並依客戶實際需求時點分階段擴大生產能力。晶圓廠建設將按計畫推進，而無塵室擴建及設備投入則將依據市場動態逐步實施，以提升投資效率。
公司認為，此次投資不僅夯實未來成長基礎，也將增強韓國半導體產業生態競爭力，帶動區域經濟發展。龍仁與清州兩地同步推進的大規模投資，可望為合作夥伴企業創造更多協同增長機會，並透過創造就業、激活本地商圈，為國家經濟的可持續增長作出貢獻。
SK hynix 相關人士表示：“此次投資旨在把握與市場增長速度同步的發展機會。公司將以前瞻性佈局確保生產基礎，致力於穩定全球 AI 半導體供應鏈，成為 AI 基礎設施領域的核心合作夥伴。”
更多COMPUTEX 2026最新資訊就在 ioioTIME 專區中
現在就加入 ioioTIMES 臉書粉絲團 更多互動、更多好康攏抵加!!
我們有LINE TODAY頻道了，快來追踪我們吧!!--最新科技新聞 盡在你手
