全新e.MMC 5.1A解決方案，為採用e.MMC儲存的連網裝置提供簡易的升級路徑
對於生產長生命週期設備的製造商而言，在技術轉向新世代 NAND 發展的同時，能持續取得 e.MMC 至關重要。為因應此挑戰，Sandisk 於 electronica 2026 宣布推出 SANDISK® iNAND® CL EM181 嵌入式快閃磁碟（EFD），進一步擴大專為實體 AI 與物聯網（IoT）
SANDISK iNAND CL EM181 適用於多種嵌入式應用，包括機上盒、OTT 裝置、家庭閘道器、智慧電視與家電、智慧監控攝影機，
Sandisk 全球汽車與 IoT 事業部行銷總監 Russell Ruben 表示：「許多 IoT 產品通常會在市場上銷售多年，因此儲存技術的延續性對製造商至關
SANDISK® iNAND® CL EM181 嵌入式快閃磁碟的主要特色包括：
- 適用於資料密集型連網裝置：提供 64GB、128GB 與 256GB¹ 容量，連續讀取速度達 300 MB/s，連續寫入速度達 225 MB/s²。
- 兼顧效能與耐寫度：Sandisk SmartSLC™ 技術透過在 NAND 內劃設 SLC 區塊以處理寫入作業，有助於降低寫入放大（Write Amplification），並提升寫入效能與耐寫度。另搭配
可自行設定的增強型使用者資料區（Enhanced User Data Area，EUDA），提供真正 SLC 分割區，適合對耐寫度或效能要求更高的應用。 - 簡化整合流程：所有容量皆採用符合 JEDEC 規範的 11.5mm x 13mm 封裝，讓製造商在 iNAND 各世代之間轉換時，僅需對主機端做極少的修改。
- 專為連網應用打造：工作溫度範圍為 -25°C 至 85°C，並具備 LDPC ECC 引擎、自動更新與先進電源保護機制，以確保資料完整性與可靠性。
欲了解更多資訊，請造訪：https://www.
1. 1GB = 10 億位元組。實際可用容量可能因作業環境而減少。
2. 1 MB/s = 每秒 100 萬位元組。依據內部測試結果，實際效能可能因主機裝置、
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