- 艾司摩爾與台積公司 9 月 7 日於 BACUS 國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，共同推動轉移升級至 12 吋光罩，以將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的價值發揮到極致。
- 該合作目標於 2031 年之前建立 12 吋光罩試產線（pilot line），並於 2033 年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
- 採用 High NA EUV 企業及相關主要供應商均表達參與意願，展現產業對此的廣泛支持。
艾司摩爾科技股份有限公司（ASML Holding N.V.）與台灣積體電路製造股份有限公司宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩。
High NA EUV 將自現行的 6 吋光罩，轉移至更大的 12 吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張 6 吋光罩在 High NA EUV 曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用 High NA EUV 的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。
艾司摩爾總裁暨執行長 Christophe Fouquet 表示：「我們預期，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV 的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入 12 吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。我們很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。」
台積公司董事長暨總裁魏哲家博士表示：「台積公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，我們期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。」
台積公司有意自 2030 年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的 High NA 技術。隨著製程技術持續推進，特別是在 AI 應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積公司預期需要使用 High NA EUV 曝光的光罩層數將隨之增加。
艾司摩爾與台積公司 7 日於加州蒙特雷舉辦的 BACUS 國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，以共同推動轉移升級至 12 吋光罩，並計劃於 2031 年之前建立 12 吋光罩試產線，為 2033 年 12 吋 High NA 微影系統導入先進製程量產奠定基礎。
眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席此活動，並表達對該轉移的參與意願，突顯出產業對此的廣泛支持。
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